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Q62702-F1773 Datasheet

  • Q62702-F1773

  • Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain c...

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BF 2030
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Preliminary data
鈥?/div>
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
鈥?/div>
Operating voltage 5V
3
4
2
1
VPS05178
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution
Type
BF 2030
Marking Ordering Code
NEs
Q62702-F1773
Pin Configuration
1=S
2=D
3 = G2
4 = G1
Package
SOT-143
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuos drain current
Gate 1/gate 2 peak source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation,
T
S
= 76 擄C
Storage temperature
Channel temperature
Symbol
Value
14
40
10
7
200
-55 ...+150
150
V
mW
擄C
Unit
V
mA
V
DS
I
D
鹵
I
G1/2SM
+
V
G1SE
P
tot
T
stg
T
ch
Thermal Resistance
Channel - soldering point
R
thchs
鈮?70
K/W
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Mar-16-1998
1998-11-01

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