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Q62702-F1665 Datasheet

  • Q62702-F1665

  • Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain c...

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BF 1005S
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
鈥?/div>
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
鈥?/div>
Operating voltage 5V
鈥?/div>
Integrated stabilized bias network
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Q62702-F1665
Pin Configuration
1=S
2=D
3 = G2
4 = G1
Package
SOT-143
BF 1005S NZs
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Symbol
Value
8
25
10
3
200
- 55 ...+150
150
Unit
V
mA
V
mW
擄C
V
DS
I
D
鹵
I
G1/2SM
+
V
G1SE
Continuos drain current
Gate 1/gate 2 peak source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
76 擄C
Storage temperature
Channel temperature
P
tot
T
stg
T
ch
Thermal Resistance
Channel - soldering point
R
thchs
鈮?70
K/W
Note:
It is not recommended to apply external DC-voltage on Gate 1 in active mode.
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Au
1998-11-01
-25-1998

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