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Q62702-F1590 Datasheet

  • Q62702-F1590

  • NPN Silicon RF Transistor (For medium power amplifiers)

  • 52.84KB

  • 8頁

  • INFINEON   INFINEON

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SIEGET
廬
25
NPN Silicon RF Transistor
鈥?/div>
For medium power amplifiers
鈥?/div>
Compression point
P
-1dB
= +19 dBm at 1.8 GHz
maximum available gain
G
ma
= 14 dB at 1.8 GHz
Noise figure
F
= 1.25 dB at 1.8 GHz
鈥?/div>
Transition frequency
f
T
= 24 GHz
鈥?/div>
Gold metalization for high reliability
鈥?/div>
SIEGET
廬
25 - Line
Siemens Grounded Emitter Transistor
25
GHz
f
T
-
Line
BFP 450
3
4
2
1
VPS05605
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFP 450
Marking Ordering Code
ANs
Q62702-F1590
Pin Configuration
1=B
2=E
3=C
4=E
Package
SOT-343
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
96 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
Symbol
Value
4.5
15
1.5
100
10
450
150
-65 ...+150
-65 ...+150
鈮?/div>
130
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
R
thJS
mA
mW
擄C
K/W
1) TS is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01

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