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Q62702-F1493 Datasheet

  • Q62702-F1493

  • NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadban...

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BFR 183W
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, high-gain broadband amplifiers at
collector current from 2 mA to 30mA
鈥?/div>
f
T
= 8 GHz
F = 1.2 dB at 900 MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFR 183W
RHs
Q62702-F1493
1=B
2=E
3=C
Package
SOT-323
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
12
20
20
2
65
5
mW
450
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
210
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
56 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-11-1996

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