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Q62702-F1372 Datasheet

  • Q62702-F1372

  • Silicon N Channel MOS FET Triode (For RF stages up to 300 MH...

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Silicon N Channel MOS FET Triode
Preliminary Data
q
For RF stages up to 300 MHz
BF 543
preferably in FM applications
q
I
DSS
= 4 mA,
g
fs
= 12 mS
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precautions!
Type
BF 543
Marking
LDs
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-F1372
Pin Configuration
1
2
3
G
D
S
Package
1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain current
Gate-source peak current
Total power dissipation,
T
A
鈮?/div>
60 藲C
Storage temperature range
Channel temperature
Ambient temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
R
th JA
鈮?/div>
450
Symbol
V
DS
I
D
鹵
I
GSM
Values
20
30
10
200
150
鈥?55 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
P
tot
T
stg
T
ch
T
A
鈥?55 鈥?+ 150 藲C
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on alumina 15 mm
脳
16.7 mm
脳
0.7 mm.
Semiconductor Group
1
07.94

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