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Q62702-F1314 Datasheet

  • Q62702-F1314

  • NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadban...

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BFR 181
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, high-gain broadband amplifiers at
collector currents from 0.5 mA to 12mA
鈥?/div>
f
T
= 8GHz
F
= 1.45dB at 900MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFR 181
RFs
Q62702-F1314
1=B
2=E
3=C
Package
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
12
20
20
2
20
2
mW
175
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
335
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
91 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-11-1996

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