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Q62702-F1296 Datasheet

  • Q62702-F1296

  • NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobil...

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BFR 180
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low-power amplifiers in mobile
communication systems (pager) at collector
currents from 0.2mA to 2.5mA
鈥?/div>
f
T
= 7GHz
F = 2.1dB at 900MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFR 180
RDs
Q62702-F1296
1=B
2=E
3=C
Package
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
8
10
10
2
4
0.5
mW
30
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
780
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
127 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Feb-04-1997

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