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Q62702-F1292 Datasheet

  • Q62702-F1292

  • NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion bro...

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BFG 196
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, low distortion broadband
amplifiers in antenna and telecommunications
systems up to 1.5GHz at collector currents from
20mA to 80mA
鈥?Power amplifier for DECT and PCN systems
鈥?/div>
f
T
= 7.5GHz
F
= 1.5 dB at 900MHz
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFG 196
BFG196 Q62702-F1292
1=E
2=B
3=E
4=C
Package
SOT-223
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
12
20
20
2
100
12
mW
800
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
75
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
90 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-13-1996

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