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Q62702-F1219 Datasheet

  • Q62702-F1219

  • NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifie...

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BFR 106
NPN Silicon RF Transistor
鈥?For low noise, high-gain amplifiers
鈥?For linear broadband amplifiers
鈥?Special application: antenna amplifiers
鈥?Complementary type: BFR 194 (PNP)
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code
Pin Configuration
BFR 106
R7s
Q62702-F1219
1=B
2=E
3=C
4=E
Package
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
Symbol
Values
15
20
20
3
100
12
mW
700
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
鈮?/div>
110
擄C
mA
Unit
V
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
1)
T
S
鈮?/div>
73 擄C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
K/W
1)
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
Dec-11-1996

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