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Q62702-F1215 Datasheet

  • Q62702-F1215

  • GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)

  • 7頁

  • INFINEON   INFINEON

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GaAs FET
CF 739
Features
q
N-channel dual-gate GaAs MES FET
q
Depletion mode transistor for tuned small-signal
applications up to 2 GHz, e. g. VHF, UHF,
Sat-TV tuners
q
Low noise
q
High gain
q
Low input capacitance
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precautions!
Type
CF 739
Marking
MS
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-F1215
Pin Configuration
1
2
3
4
S
D
G
2
G
1
Package
1)
SOT-143
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate 1-source voltage
Gate 2-source voltage
Drain current
Gate 1-source peak current
Gate 2-source peak current
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
66 藲C
2)
Channel temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Channel - soldering point
3)
1)
2)
3)
Symbol
V
DS
鈥?/div>
V
G1S
鈥?/div>
V
G2S
I
D
+
I
G1SM
+
I
G2SM
P
tot
T
ch
T
stg
Values
10
6
6
80
1
1
240
150
鈥?55 鈥?+ 150
Unit
V
mA
mW
藲C
R
thchS
鈮?/div>
350
K/W
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on alumina 15 mm
脳
16.7 mm
脳
0.7 mm.
T
S
is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.
Semiconductor Group
1
04.96

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