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Q62702-C1659 Datasheet

  • Q62702-C1659

  • NPN Silicon AF and Switching Transistor (High breakdown volt...

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BF 1012
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
鈥?/div>
For low noise, high gain controlled
input stages up to 1GHz
鈥?/div>
Operating voltage 12V
鈥?/div>
Integrated stabilized bias network
3
4
2
1
VPS05178
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BF 1012
Marking Ordering Code Pin Configuration
MYs
Q62702-F1487 1 = S
2=D
Package
3 = G2 4 = G1 SOT-143
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuos drain current
Gate 1/gate 2 peak source current
Gate 1 (external biasing)
Total power dissipation,
T
S
鈮?/div>
76 擄C
Storage temperature
Channel temperature
Symbol
Value
16
25
10
3
200
-55 ...+150
150
V
mW
擄C
Unit
V
mA
V
DS
I
D
鹵
I
G1/2SM
+
V
G1SE
P
tot
T
stg
T
ch
Thermal Resistance
Channel - soldering point
R
thchs
鈮?70
K/W
Note:
It is not recommended to apply external DC-voltage on Gate 1 in active mode.
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01

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