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Q62702-A917 Datasheet

  • Q62702-A917

  • Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakd...

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Silicon Switching Diodes
BAS 79 A
鈥?BAS 79 D
q
Switching applications
q
High breakdown voltage
q
Common cathode
Type
BAS 79 A
BAS 79 B
BAS 79 C
BAS 79 D
Marking
BAS 79 A
BAS 79 B
BAS 79 C
BAS 79 D
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-A914
Q62702-A915
Q62702-A916
Q62702-A917
Pin Configuration
Package
1)
SOT-223
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
BAS
79 A
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Peak forward current
Surge forward current,
t
= 1
碌
s
Total power dissipation,
T
S
= 114 藲C
2)
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
1)
2)
Values
BAS
BAS
79 B
79 C
100
100
1
1
10
1.2
150
鈥?65 鈥?+ 150
200
200
Unit
BAS
79 D
400
400
A
V
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FS
P
tot
T
j
T
stg
50
50
W
藲C
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
170
鈮?/div>
30
K/W
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

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