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Q62702-A1202 Datasheet

  • Q62702-A1202

  • PNP Silicon Switching Transistor Array

  • 8頁

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SMBT 3906S
PNP Silicon Switching Transistor Array
鈥?/div>
High DC current gain: 0.1mA to 100mA
鈥?/div>
Low collector-emitter saturation voltage
鈥?/div>
Two ( galvanic) internal isolated Transistors
with high matching in one package
鈥?/div>
Complementary type: SMBT 3904S (NPN)
4
5
6
2
1
3
VPS05604
Type
SMBT 3906S
Marking Ordering Code
s2A
Q62702-A1202
Pin Configuration
Package
1/4=E1/E2 2/5=B1/B2 3/6=C2/C1 SOT-363
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Total power dissipation,
T
S
= 115 擄C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
Junction - soldering point
Symbol
Value
40
40
6
200
250
150
- 65...+150
mA
mW
擄C
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
R
thJA
R
thJS
鈮?75
鈮?40
K/W
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Sep-07-1998
1998-11-01

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