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PZT3906T1/D Datasheet

  • PZT3906T1/D

  • PZT3906T1 Data Sheet

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PZT3906T1
Preferred Device
General Purpose Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
- 40
- 40
- 5.0
- 200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
1
BASE
3
EMITTER
COLLECTOR
2, 4
http://onsemi.com
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR - 5 Board
(Note 1) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2) T
A
= 25擄C
Derate above 25擄C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
stg
417
- 55 to
+150
Unit
mW
mW/擄C
擄C/W
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C
MARKING
DIAGRAM
SOT - 223
CASE 318E
Style 1
2A
1. FR - 5 = 1.0

0.75

0.062 in.
2. Alumina = 0.4

0.3

0.024 in. 99.5% alumina.
2A
= Specific Device Code
ORDERING INFORMATION
Device
PZT3906T1
Package
SOT - 223
Shipping
1000 / Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
1
June, 2003 - Rev. 0
Publication Order Number:
PZT3906T1/D

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