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PTF10193 Datasheet

  • PTF10193

  • 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor

  • 334.22KB

  • 6頁

  • ERICSSON

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PTF 10193
12 Watts, 860-960 MHz
GOLDMOS
Field Effect Transistor
Description
The PTF 10193 is an internally matched, 12鈥搘att
GOLDMOS
FET
intended for GSM, CDMA and TDMA amplifier applications from 860
to 960 MHz. This device operates at 60% efficiency with 18 dB typical
gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure
excellent device lifetime and reliability.
鈥?/div>
鈥?/div>
INTERNALLY MATCHED
Performance at 960 MHz, 26 Volts
- Output Power = 12 Watts
- Efficiency = 60% Typ
- Power Gain = 18 dB Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Surface Mountable
Available in Tape and Reel
100% Lot Traceability
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typical Output Power & Efficiency vs.
Input Power
20
70
鈥?/div>
鈥?/div>
Efficiency
Output Power (Watts)
Efficiency (%)
x
16
12
8
4
0
0.0
0.2
0.4
0.6
60
50
V
DD
= 26 V
Output Power
40
30
20
1234
1
56
01
A-1
000
9
3
234
8A
5
600
1019
3
08
I
DQ
= 160 mA
f = 960 MHz
Input Power (Watts)
Package 20259
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Common Source Power Gain
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 12 W, I
DQ
= 160 mA, f = 960 MHz)
Power Output at 1 dB Compressed
(V
DD
= 26 V, I
DQ
= 160 mA, f = 960 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 12 W, I
DQ
= 160 mA, f = 960 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 12 W, I
DQ
= 160 mA, f = 921 MHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
Symbol
G
ps
P-1dB
h
Y
Min
17.0
12
55
鈥?/div>
Typ
18
14
60
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
e
1

PTF10193 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻放大器

  • 1063870

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    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
    ETC

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