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PTF10160 Datasheet

  • PTF10160

  • 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor

  • 255.17KB

  • 7頁

  • ERICSSON

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PTF 10160
85 Watts, 860鈥?60 MHz
GOLDMOS
廬
Field Effect Transistor
Description
The PTF 10160 is an internally matched 85鈥搘att
GOLDMOS
FET
intended for cellular, GSM, D-AMPS and EDGE applications. It oper-
ates with 53% efficiency and 16 dB typical gain. Full gold metalliza-
tion ensures excellent device lifetime and reliability.
鈥?/div>
鈥?/div>
INTERNALLY MATCHED
Performance at 960 MHz, 26 Volts
- Output Power = 85 Watts
- Power Gain = 16 dB Typ
- Efficiency = 53% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typical Output Power& Efficiency vs. Input Power
120
100
70
60
Efficiency
80
60
40
20
Output Power
0
0
1
2
3
4
5
Output Power (Watts)
40
Efficiency (%)
50
V
DD
= 26 V
I
DQ
= 700 mA
f = 960 MHz
30
20
10
0
1234
5600
55A
1016
0
Input Power (Watts)
Package 20248
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Gain
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 85 W, I
DQ
= 700 mA, f = 960 MHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 26 V, I
DQ
= 700 mA, f = 960 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 85 W, I
DQ
= 700 mA, f = 960 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 85 W, I
DQ
= 700 mA, f = 960 MHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
Symbol
G
pe
P-1dB
h
Y
Min
15
85
50
鈥?/div>
Typ
16
90
53
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
e
1

PTF10160 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻放大器

  • 1063868

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    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
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    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
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    ERICSSON
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
    ETC

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