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PTF10154 Datasheet

  • PTF10154

  • 85 Watts, 1.93-1.99 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

  • 5頁(yè)

  • ERICSSON

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PTF 10154
85 Watts, 1.93鈥?.99 GHz
GOLDMOS
廬
Field Effect Transistor
Description
The PTF 10154 is an internally matched 85鈥搘att
GOLDMOS
FET
intended for CDMA and TDMA applications from 1.93 to 1.99 GHz.
This device operates at 43% efficiency with 11 dB gain. Nitride surface
passivation and full gold metallization ensure excellent device life-
time and reliability.
鈥?/div>
鈥?/div>
INTERNALLY MATCHED
Guaranteed Performance at 1.93, 1.99 GHz,
28 V
- Output Power = 85 Watts Min
- Power Gain = 11 dB Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typical Power Output and Efficiency
vs. Input Power
100
50
40
Power Output (Watts)
Efficiency
60
40
20
0
0
3
6
9
12
15
30
Efficiency (%)
x
80
A-12
101
3456
54
00
35
V
DD
= 28 V
Power Output
20
10
0
I
DQ
= 1.15 A
f = 1990 MHz
Input Power (Watts)
Package 20248
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Gain
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 10 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.96, 1.99 GHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 90 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 90 W, I
DQ
= 1.15 A, f = 1.99 GHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
Symbol
G
ps
P-1dB
h
D
Y
Min
10.0
85
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
11
鈥?/div>
43
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
e
1

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  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
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    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
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    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
    ETC

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