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PTF10122 Datasheet

  • PTF10122

  • 50 Watts WCDMA, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

  • 6頁

  • ERICSSON

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PTF 10122
50 Watts WCDMA, 2.1鈥?.2 GHz
GOLDMOS
鈩?/div>
Field Effect Transistor
Description
The PTF 10122 is an internally matched common source N-channel
enhancement-mode lateral MOSFET intended for WCDMA applications
from 2.1 to 2.2 GHz. It is rated at 50 watts power output, with 11 dB of
gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure ex-
cellent device lifetime and reliability.
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鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
INTERNALLY MATCHED
Guaranteed Performance at 2.17 GHz, 28 V
- Output Power = 50 Watts Min
- Gain = 11.0 dB Typ
- Efficiency = 35% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
Typical Output Power vs. Input Power
60
50
40
30
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
20
10
0
Output Power (Watts)
50
40
Efficiency (%)
A-12
1012
3456
2
994
6
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 600 mA
f = 2.17 GHz
Input Power (Watts)
Package 20248
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Gain
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 15 W, I
DQ
= 600 mA, f = 2.11 GHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
DQ
= 600 mA, f = 2.17 GHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 50 W, I
DQ
= 600 mA, f = 2.17 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 50 W, I
DQ
= 600 mA, f = 2.17 GHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
Symbol
G
ps
P-1dB
h
D
Y
Min
10.0
50
30
鈥?/div>
Typ
11.0
鈥?/div>
35
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
e
1

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    Relay Socket DIN Rail
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    Relay Socket DIN Rail
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
    ETC

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