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PTF10041 Datasheet

  • PTF10041

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR

  • 79.02KB

  • 6頁

  • ETC

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GOLDMOS
廬
PTF 10041
Field Effect Transistor
12 Watts, 1.99 GHz
鈥?/div>
Guaranteed Performance at 1.99 GHz, 26 V
DS
- Output Power = 12 Watts Min
- Power Gain = 10 dB Min
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Excellent Thermal Stability
Back Side Common Source
100% Lot Traceability
Description
The PTF 10041 is a 12鈥搘att
GOLDMOS
FET intended for large
signal amplifier applications from 1.0 to 2.0 GHz. It operates at 38%
efficiency with 10 dB minimum gain. Nitride surface passivation and
full gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability.
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typical Output Power vs. Input Power
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DD
= 26 V
I
DQ
= 125 mA
f = 1990 MHz
Output Power (Watts)
PT
F10
041
Input Power (Watts)
Package 20249
RF Specifications
Characteristic
(Guaranteed)
Symbol
G
ps
P-1dB
h
Y
Min
10
12
38
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
Gain
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 3 W, I
DQ
= 125 mA, f = 1930, 1990 MHz)
Output Power at 1 dB Compression
(V
DD
= 26 V, I
DQ
= 125 mA, f = 1990 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 12 W, I
DQ
= 125 mA, f = 1990 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 26 V, P
OUT
= 12 W, I
DQ
= 125 mA, f = 1990 MHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
e
1

PTF10041 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻放大器

  • 1063855

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    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
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    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    ERICSSON
  • 英文版
    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    ERICSSON
  • 英文版
    30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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    50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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