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PTF10019 Datasheet

  • PTF10019

  • 70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor

  • 325.51KB

  • 6頁

  • ERICSSON

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PTF 10019
70 Watts, 860鈥?60 MHz
GOLDMOS
鈩?/div>
Field Effect Transistor
Description
The PTF 10019 is an internally matched, 70 Watt LDMOS FET intended
for cellular, GSM, and D-AMPS applications in the 860 to 960 MHz
range. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure
excellent device lifetime and reliability.
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
INTERNALLY MATCHED
Performance at 960 MHz, 28 Volts
- Output Power = 70 Watts
- Power Gain = 14.5 dB Typ
- Efficiency = 50% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
Typical Output Power vs. Input Power
80
74
Output Power
60
Efficiency
40
66
Output Power (Watts)
50
42
Efficiency (%)
58
A-1
100
2 3 4
19
568
V
DD
= 28 V
20
34
26
18
10
4.0
955
I
DQ
= 600 mA
f = 960 MHz
0.0
1.0
2.0
3.0
0
Input Power (Watts)
Package 20237
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Gain
(V
DD
= 28 V, Pout = 70 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, Pout = 70 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, Pout = 70 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz
鈥攁ll phase angles at frequency of test)
All published data at T
CASE
= 25擄C unless otherwise indicated.
Symbol
G
pe
P-1dB
h
Y
Min
13.0
70
45
鈥?/div>
Typ
14.5
75
50
鈥?/div>
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10:1
Units
dB
Watts
%
鈥?/div>
e
1

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    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    Relay Socket DIN Rail
  • 英文版
    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
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    50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
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    30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON
  • 英文版
    85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
    ERICSSON [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | SOT-391BVAR
    ETC

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