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PTB20171 Datasheet

  • PTB20171

  • 25 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor

  • 47.75KB

  • 2頁

  • ERICSSON

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e
PTB 20171
25 Watts, 935鈥?60 MHz
Cellular Radio RF Power Transistor
Description
The 20171 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor
intended for 24 Vdc operation from 935 to 960 MHz. Rated at 25
watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP
applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold
metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot
traceability is standard.
聲
聲
聲
聲
25 Watts, 935鈥?60 MHz
Class AB Characteristics
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Typical Output Power vs. Input Power
40
Output Power (Watts)
30
20
201
71
LOT
CO
DE
V
CC
= 24 V
10
I
CQ
= 150 mA
f = 960 MHz
0
0
1
2
3
4
5
Input Power (Watts)
Package 20200
Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage (collector open)
Collector Current (continuous)
Total Device Dissipation at Tflange = 25擄C
Above 25擄C derate by
Storage Temperature Range
Thermal Resistance (Tflange = 70擄C)
T
STG
R
胃JC
Symbol
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Value
50
50
4.0
5.0
145
0.833
鈥?0 to +150
1.2
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
擄C/W
1
9/28/98

PTB20171 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻放大器

  • 1063826

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