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PTB20157 Datasheet

  • PTB20157

  • 20 Watts, 1.35-1.85 GHz RF Power Transistor

  • 49.21KB

  • 3頁

  • ERICSSON

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e
PTB 20157
20 Watts, 1.35鈥?.85 GHz
RF Power Transistor
Description
The 20157 is an NPN common base RF power transistor intended
for 22鈥?6 Vdc class C operation from 1.35 to 1.85 GHz. Rated at 20
watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP
applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold
metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot
traceability is standard.
聲
聲
聲
聲
聲
20 Watts, 1.35鈥?.85 GHz
Class C Characteristics
40% Min Collector Efficiency at 20 Watts
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Typical Output Power vs. Input Power
30
Output Power (Watts)
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
2015
7
LOT
COD
E
V
CC
= 22 V
f = 1.85 GHz
Input Power (Watts)
Package 20209
Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage (collector open)
Collector Current (continuous)
Total Device Dissipation at Tflange = 25擄C
Above 25擄C derate by
Storage Temperature Range
Thermal Resistance (Tflange = 70擄C)
T
STG
R
胃JC
Symbol
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Value
50
50
4
6
75
0.43
鈥?0 to +150
2.33
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
擄C/W
1
9/28/98

PTB20157 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻放大器

  • 1063821

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