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PSMN063-150 Datasheet

  • PSMN063-150

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 262.77KB

  • 12頁

  • PHILIPS

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PSMN063-150D
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 03 鈥?31 October 2001
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PSMN063-150D in SOT428 (D-PAK).
1.2 Features
s
TrenchMOS鈩?technology
s
Fast Switching
s
Very low on-state resistance
s
Low thermal resistance
1.3 Applications
s
DC to DC converters
s
Switched mode power supplies
1.4 Quick reference data
s
V
DS
= 150 V
s
P
tot
= 150 W
s
I
D
= 29 A
s
R
DSon
鈮?/div>
63 m鈩?/div>
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT428 (D-PAK), simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
connected to drain (d)
2
1
Top view
3
MBK091
Simpli鏗乪d outline
[1]
mb
Symbol
d
g
s
MBB076
[1]
It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.
1.
TrenchMOS鈩?is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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