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PSMN015-110P Datasheet

  • PSMN015-110P

  • TrenchMOS Standard level FET

  • 90.81KB

  • 12頁

  • PHILIPS

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PSMN015-110P
TrenchMOS鈩?Standard level FET
Rev. 01 鈥?08 January 2004
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
SiliconMAX鈩?products use the latest Philips TrenchMOS鈩?technology to achieve
the lowest possible on-state resistance in each package.
1.2 Features
s
Low on-state resistance
s
Low gate charge.
1.3 Applications
s
DC-to-DC converters
s
Switched-mode power supplies.
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
110 V
s
P
tot
鈮?/div>
300 W
s
I
D
鈮?/div>
75 A
s
R
DSon
鈮?/div>
15 m鈩?/div>
2. Pinning information
Table 1:
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, simpli鏗乪d outlines and symbol
Simpli鏗乪d outline
mb
Pin Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Symbol
d
g
s
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)

PSMN015-110P 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 110 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 0.0405 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 50 ns

  • - 55 C

  • 300 W

  • 65 ns

  • 50

  • 95 ns

  • PSMN015-110P,127

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