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PSMN008-75P Datasheet

  • PSMN008-75P

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 134.13KB

  • 14頁

  • PHILIPS

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PSMN008-75P; PSMN008-75B
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?18 September 2000
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PSMN008-75P in SOT78
PSMN008-75B in SOT404 (D
2
-PAK).
2. Features
s
Fast switching
s
Low on-state resistance
s
Avalanche ruggedness rated.
3. Applications
s
DC to DC converters
s
Uninterruptable power supplies.
c
c
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 and SOT404, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
mb
Simpli鏗乪d outline
mb
Symbol
drain (d)
source (s)
connected to
drain (d)
[1]
d
g
2
MBK106
1 2 3
1
3
MBK116
MBB076
s
SOT78
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
SOT404 (D
2-
PAK)
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

PSMN008-75P 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 75 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 0.0085 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 80 ns

  • - 55 C

  • 230 W

  • 55 ns

  • 50

  • 88 ns

  • PSMN008-75P,127

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