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PSMN003-30P Datasheet

  • PSMN003-30P

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 273.66KB

  • 13頁

  • PHILIPS

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PSMN003-30P; PSMN003-30B
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?23 October 2001
Product data
1. Description
N-channel logic level 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PSMN003-30P in SOT78 (TO-220AB)
PSMN003-30B in SOT404 (D
2
-PAK)
2. Features
s
Low on-state resistance
s
Fast switching.
3. Applications
s
High frequency computer motherboard DC to DC converters
s
OR-ing applications.
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 and SOT404, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
drain (d)
g
s
Simpli鏗乪d outline
[1]
mb
mb
Symbol
d
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)
[1]
SOT404 (D
2-
PAK)
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

PSMN003-30P 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 0.0028 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 115 ns

  • - 55 C

  • 230 W

  • 66 ns

  • 50

  • 210 ns

  • PSMN003-30P,127

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