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PS0.25-5 Datasheet

  • PS0.25-5

  • High Speed epitaxy Low Dark curren 0.25mm active area

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PS0.25-5 TO52S1
PIN Photodiode
Special characteristics:
High Speed epitaxy
Low Dark current
0,25 mm虜 active area
Parameters:
Active Area
Dark Current
at 20 V
Total Capacitance
at 20 V
Spectral Responsivity
at 800 nm
Shunt Resistance
at 10 mV
1)
Cut-off Frequency
(-3dB)
Rise Time
1)
at 20 V
N.E.P.
at 0 V
at 20 V
Operating temperature
Storage temperature
PS0.25-5 Ch
0.5 x 0.5 mm
2
0,25 mm
max. 4.0 nA
typ. 0.5 nA
typ. 1.8 pF
min. 0.4 A/W
typ. 0.5 A/W
typ. 200 M鈩?/div>
Package 1 (TO52):
CASE
4
3
1
45擄
CATHODE
鈭?/div>
2.54
鈭?/div>
5.4 鹵 0.2
鈭?/div>
4.7 鹵 0.1
sensitive
surface
鈭?/div>
2.5 鹵 0.05
鈭?/div>
2.0 min.
2)
1)
ANODE
typ. 0.9 GHz
typ. 0.4 ns
typ. 2* 10
-15
W/Hz
1/2
typ. 6* 10
-15
W/Hz
1/2
-20 鈥︹€? + 70 擄C
-25 鈥︹€? +100 擄C
0.22 鹵 0.03
3)
0.35 鹵 0.2
2.7 鹵 0.2
0.5 max.
0.4 max.
鈭?/div>
0.45
1)
measurement conditions:
螞
= 860 nm
R
L
= 50
鈩?/div>
U
R
= 20 V
Chip: PS0.25-5
1
3
4
view without window cap
Ansicht ohne Fensterkappe
1):
鈭?/div>
3.0 鹵 0.05
2):
鈭?/div>
2.2 min.
3): 0.25 鹵 0.05
www.silicon-sensor.com
Version: 04-03-05
www.pacific-sensor.com
13.0 鹵 1.0
3.6 鹵 0.2

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    High Speed epitaxy Low Dark curren 0.25mm active area
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    High Speed epitaxy Low Dark curren 0.25mm active area
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