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PNZ108 Datasheet

  • PNZ108

  • Silicon NPN Phototransistors

  • 4頁

  • PANASONIC

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Phototransistors
PNZ107, PNZ108
(PN107, PN108)
Silicon NPN Phototransistors
PNZ107
4.6 0.15
Glass lens
Unit : mm
For optical control systems
Features
High sensitivity : I
CE(L)
= 5 mA (min.) (at L = 100 lx)
Narrow directional sensitivity for effective use of light input
Fast response : t
r
= 5
碌s
(typ.)
Signal mixing capability using base pin (PNZ0108)
TO-18 standard type package
0.
15
0
1.
12.7 min.
6.3 0.3
2- 0.45 0.05
2.54 0.25
0.
2
45
0
3
1.
2 1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25藲C)
Parameter
Collector to emitter voltage
Collector to base voltage
Emitter to collector voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
5.75 max.
Symbol
V
CEO
V
CBO*
V
ECO
V
EBO*
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
30
3
5
30
150
鈥?5 to +85
鈥?0 to +100
Unit
V
V
V
mA
mW
12.7 min.
6.3 0.3
1: Emitter
2: Collector
PNZ108
4.6 0.15
Glass lens
Unit : mm
V
藲C
藲C
3- 0.45 0.05
PNZ108 only
0
1.
2.54 0.25
2
0.
15
45
0
0.
3
1.
3
2 1
5.75 max.
1: Emitter
2: Base
3: Collector
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
1

PNZ108 產品屬性

  • PNZ108 View all Specifications

  • 傳感器，轉換器

  • 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管

  • *

  • 20V

  • 30mA

  • 2µA

  • 900nm

  • 20°

  • 150mW

  • 通孔

  • 頂視圖

  • TO-206AA，TO-18-3 金屬罐

  • PN108PN108-ND

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