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PNZ102F Datasheet

  • PNZ102F

  • Silicon NPN Phototransistors

  • 3頁

  • PANASONIC

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Phototransistors
PNA1401LF, PNZ102F
Silicon NPN Phototransistors
PNA1401LF
Unit : mm
酶4.6鹵0.15
Glass window
For optical control systems
Features
Flat window design which is suited to optical systems
Low dark current : I
CEO
= 5 nA (typ.)
Fast response : t
r
, t
f
= 3
碌s
(typ.)
Wide directional sensitivity
Base pin for easy circuit design (PNZ102F)
4.5鹵0.2
12.7 min.
2-酶0.45鹵0.05
2.54鹵0.25
0
鹵
1.
2
0.
.1
5
45
鹵
0
鹵
0
3藲
1.
2 1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25藲C)
酶5.75 max.
Parameter
Collector to emitter voltage
Collector to base voltage
Emitter to collector voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
Symbol
V
CEO
V
CBO*
V
ECO
V
EBO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
*
Ratings
30
40
5
5
50
150
鈥?5 to +85
鈥?0 to +100
Unit
V
V
V
V
mA
mW
藲C
藲C
4.5鹵0.2
1: Emitter
2: Collector
PNZ102F
酶4.6鹵0.15
Unit : mm
Glass window
12.7 min.
3-酶0.45鹵0.05
PNZ102F only
2.54鹵0.25
1.
0
0
鹵
.2
15
45
鹵
1.
0
鹵
0.
3藲
3
2 1
1: Emitter
2: Base
3: Collector
酶5.75 max.
1

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