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PMWD19UN Datasheet

  • PMWD19UN

  • Dual uTrenchMOS (tm) ultra low level FET

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PMWD19UN
Dual
碌TrenchMOS鈩?/div>
ultra low level FET
Rev. 01 鈥?20 December 2002
M3D647
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?technology.
Product availability:
PMWD19UN in SOT530-1 (TSSOP8).
1.2 Features
s
Surface mounting package
s
Very low threshold
s
Low pro鏗乴e
s
Fast switching.
1.3 Applications
s
Portable appliances
s
Battery management
s
PCMCIA cards
s
Load switching.
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
30 V
s
P
tot
鈮?/div>
2.3 W
s
I
D
鈮?/div>
5.6 A
s
R
DSon
鈮?/div>
23 m鈩?
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2,3
4
5
6,7
8
Pinning - SOT530-1, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
drain1 (d1)
source1 (s1)
gate1 (g1)
gate2 (g2)
source2 (s2)
drain2 (d2)
1
Top view
4
MBK885
Simpli鏗乪d outline
8
5
Symbol
d1
d2
s1
g1
s2
g2
MSD901
SOT530-1

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    Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET
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    PHILIPS [P...
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    PHILIPS
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    PHILIPS [P...
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