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PMBFJ620 Datasheet

  • PMBFJ620

  • Dual N-channel field-effect transistor

  • 13頁

  • PHILIPS

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PMBFJ620
Dual N-channel 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?11 May 2004
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
Two N-channel symmetrical junction 鏗乪ld-effect transistors in a SOT363 package.
CAUTION
This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
MSC895
1.2 Features
s
s
s
s
Two 鏗乪ld effect transistors in a single package
Low noise
Interchangeability of drain and source connections
High gain.
1.3 Applications
s
AM input stage in car radios
s
VHF ampli鏗乪rs
s
Oscillators and mixers.
1.4 Quick reference data
Table 1:
Per FET
V
DS
V
GSoff
I
DSS
P
tot
錚磞
fs
錚?/div>
drain-source voltage
gate-source cut-off
voltage
drain current
total power
dissipation
forward transfer
admittance
V
DS
= 10 V; I
D
= 1
碌A(chǔ)
V
GS
= 0 V; V
DS
= 10 V
T
s
鈮?/div>
90
擄C
V
DS
= 10 V;
I
D
= 10 mA
-
鈭?
24
-
10
-
-
-
-
-
鹵25
鈭?.5
60
190
-
V
V
mA
mW
mS
Quick reference data
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Symbol Parameter

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