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PHX23NQ10T Datasheet

  • PHX23NQ10T

  • N-channel TrenchMOS transistor

  • 64.27KB

  • 8頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS鈩?transistor
PHX23NQ10T
FEATURES
鈥?/div>
鈥橳rench鈥?/div>
technology
鈥?Low on-state resistance
鈥?Fast switching
SYMBOL
d
QUICK REFERENCE DATA
V
DSS
= 100 V
I
D
= 13 A
g
R
DS(ON)
鈮?/div>
70 m鈩?/div>
s
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using 鈥檛rench鈥?technology.
Applications:-
鈥?d.c. to d.c. converters
鈥?switched mode power supplies
鈥?T.V. and computer monitor power supplies
The PHX23NQ10T is supplied in the SOT186A (FPAK) conventional leaded package.
PINNING
PIN
1
2
3
case
DESCRIPTION
gate
drain
source
isolated
SOT186A (FPAK)
case
1 2 3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Total power dissipation
Operating junction and
storage temperature
CONDITIONS
T
j
= 25 藲C to 150藲C
T
j
= 25 藲C to 150藲C; R
GS
= 20 k鈩?/div>
T
mb
= 25 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 藲C
T
mb
= 25 藲C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
100
100
鹵
20
13
8
52
27
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
藲C
September 1999
1
Rev 1.000

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    PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N40E
    PHILIPS
  • 英文版
    PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N40E
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    PowerMOS transistors Avalanche energy rated
    PHILIPS
  • 英文版
    PowerMOS transistors Avalanche energy rated
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    PowerMOS transistors Avalanche energy rated
    PHILIPS
  • 英文版
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    N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
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