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PHT4NQ10T Datasheet

  • PHT4NQ10T

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 330.54KB

  • 13頁(yè)

  • PHILIPS

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PHT4NQ10T
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?31 July 2000
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHT4NQ10T in SOT223.
2. Features
s
TrenchMOS鈩?technology
s
Very fast switching
s
Surface mount package.
3. Applications
s
Primary side switch in DC to DC converters
s
High speed line driver
s
Fast general purpose switch.
c
c
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
4
Pinning - SOT223, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (g)
drain (d)
03ab45
Simpli鏗乪d outline
4
Symbol
d
g
1
2
3
s
03ab30
SOT223
N-channel MOSFET
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

PHT4NQ10T 產(chǎn)品屬性

  • 20 ns

  • 8 ns

  • 7.4 nC V @ 10

  • 300 pF V @ 25

  • 表面貼裝

  • 3.7mm

  • SC-73

  • 6.7 x 3.7 x 1.7mm

  • 4

  • -65 °C

  • 6900 mW

  • ±20 V

  • 100 V

  • 0.25

  • 3.5 A

  • +150 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N

  • 雙漏極、單

  • 6.7mm

  • 1.7mm

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