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PHP54N06T Datasheet

  • PHP54N06T

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 276.28KB

  • 13頁

  • PHILIPS

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PHP54N06T
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?14 February 2001
M3D307
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHP54N06T in SOT78 (TO-220AB).
2. Features
s
Low on-state resistance
s
175
擄C
rated.
3. Applications
s
DC to DC converters
s
Switched mode power supplies.
c
4. Pinning information
c
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
mb
Simpli鏗乪d outline
Symbol
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
g
s
d
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

PHP54N06T 產(chǎn)品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 55 V

  • +/- 20 V

  • 54 A

  • 0.02 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 40 ns

  • - 55 C

  • 118 W

  • 74 ns

  • 50

  • 70 ns

  • PHP54N06T,127

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