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PHP32N06LT Datasheet

  • PHP32N06LT

  • N-channel enhancement mode field effect transistor

  • 257.10KB

  • 13頁

  • PHILIPS

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PHP32N06LT; PHB32N06LT
N-channel enhancement mode 鏗乪ld effect transistor
Rev. 01 鈥?06 November 2001
Product data
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHP32N06LT in SOT78 (TO220AB)
PHB32N06LT in SOT404 (D
2
-PAK).
2. Features
s
TrenchMOS鈩?technology
s
Logic level compatible.
3. Applications
s
General purpose switching
s
Switched mode power supplies.
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 (TO-220AB), SOT404 (D
2
-PAK), simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
mb
mb
d
Simpli鏗乪d outline
Symbol
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
SOT404 (D
2
-PAK)
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

PHP32N06LT 產品屬性

  • NXP

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 60 V

  • 15 V

  • 34 A

  • 0.037 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB

  • Rail

  • 55 ns

  • - 55 C

  • 97 W

  • 120 ns

  • 50

  • 45 ns

  • PHP32N06LT,127

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