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PHP14NQ20T Datasheet

  • PHP14NQ20T

  • TrenchMOS transistor

  • 10頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS鈩?transistor
PHP14NQ20T, PHB14NQ20T
FEATURES
鈥?/div>
鈥橳rench鈥?/div>
technology
鈥?Low on-state resistance
鈥?Fast switching
鈥?High thermal cycling performance
鈥?Low thermal resistance
SYMBOL
d
QUICK REFERENCE DATA
V
DSS
= 200 V
I
D
= 14 A
g
R
DS(ON)
鈮?/div>
230 m鈩?/div>
s
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using 鈥檛rench鈥?technology. The device
has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.
The PHP14NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The PHB14NQ20T is supplied in the SOT404 (D
2
PAK) surface mounting package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
gate
drain
1
source
drain
DESCRIPTION
SOT78 (TO220AB)
tab
SOT404 (D
2
PAK)
tab
2
1 23
1
3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Total power dissipation
Operating junction and
storage temperature
CONDITIONS
T
j
= 25 藲C to 175藲C
T
j
= 25 藲C to 175藲C; R
GS
= 20 k鈩?/div>
T
mb
= 25 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 藲C
T
mb
= 25 藲C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
200
200
鹵
20
14
10
56
125
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
藲C
1
It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 package
October 1999
1
Rev 1.000

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    廠商
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