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PHP11N50E Datasheet

  • PHP11N50E

  • PowerMOS transistors Avalanche energy rated

  • 7頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
Preliminary specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
FEATURES
鈥?Repetitive Avalanche Rated
鈥?Fast switching
鈥?Stable off-state characteristics
鈥?High thermal cycling performance
鈥?Low thermal resistance
PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E
SYMBOL
d
QUICK REFERENCE DATA
V
DSS
= 500 V
g
I
D
= 10.4 A
R
DS(ON)
鈮?/div>
0.6
鈩?/div>
s
GENERAL DESCRIPTION
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies,
T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching
applications.
The PHP11N50E is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The PHW11N50E is supplied in the SOT429 (TO247) conventional leaded package.
The PHB11N50E is supplied in the SOT404 surface mounting package.
PINNING
PIN
1
2
3
tab
DESCRIPTION
gate
drain
1
source
SOT78 (TO220AB)
tab
SOT404
tab
SOT429 (TO247)
2
drain
1 23
1
3
1
2
3
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Total dissipation
Operating junction and
storage temperature range
CONDITIONS
T
j
= 25 藲C to 150藲C
T
j
= 25 藲C to 150藲C; R
GS
= 20 k鈩?/div>
T
mb
= 25 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100 藲C; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 藲C
T
mb
= 25 藲C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
500
500
鹵
30
10.4
6.6
42
156
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
藲C
1
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
January 1998
1
Rev 1.000

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    P-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    P-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.1A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.1A I(D) |...
  • 英文版
    7,500 & 15,000 Watt TVS Module
    SEMTECH
  • 英文版
    TRANSIENT ABSORPTION ZENER
    MICROSEMI
  • 英文版
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    P-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS
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