PHP112N06T Datasheet

IC型號：
PHP112N06T
PDF描述：
N-channel enhancement mode field-effect transistor
文件大?。?/label>
245.00KB
PDF頁數(shù)：
14頁
芯片廠家：
PHILIPS

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PHP112N06T; PHB112N06T

N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor

Rev. 01 鈥?07 March 2001

Product speci鏗乧ation

1. Description

N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS鈩?/div>

technology.

Product availability:

PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB)

PHB112N06T in SOT404 (D

-PAK).

2. Features

Fast switching

Very low on-state resistance.

3. Applications

General purpose switching

Switched mode power supplies.

4. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404, simpli鏗乪d outline and symbol

Description

gate (g)

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to

drain (d)

MBK106

Simpli鏗乪d outline

Symbol

[1]

MBK116

MBB076

1 2 3

SOT78 (TO-220AB)

[1]

SOT404 (D

PAK)

It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

型號

版本

描述

廠商

下載
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