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PHN103S Datasheet

  • PHN103S

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | S...

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Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
TM
transistor & schottky diode
PHN103S
FEATURES
鈥?MOSFET + Schottky diode in the
same package
鈥?Low threshold voltage
鈥?Extremely fast switching
鈥?Logic level compatible
鈥?Surface mount package
SYMBOL
d
k
QUICK REFERENCE DATA
V
DS
= 25 V
I
D
= 5.8 A
g
R
DS(ON)
鈮?/div>
35 m鈩?(V
GS
= 10 V)
R
DS(ON)
鈮?/div>
60 m鈩?(V
GS
= 4.5 V)
s
a
V
F
(schottky) < 0.55 V
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
field-effect transistor and schottky
diode in the same plastic envelope.
The MOSFET uses 鈥檛rench鈥?/div>
technology to achieve low on-state
resistance.
Applications:-
鈥?d.c. to d.c. converters
鈥?motor drivers
鈥?relay and actuator drivers
The PHN103S is supplied in the
SOT96-1 (SO8) surface mounting
package.
PINNING
PIN
1,2
3
4
5,6
7,8
DESCRIPTION
anode (a)
source (s)
gate (g)
drain (d)
cathode (k)
SOT96-1
8
7
6
5
pin 1 index
1
2
3
4
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
, T
j
PARAMETER
Repetitive peak drain-source
voltage
Continuous drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
1
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
CONDITIONS
T
j
= 25 藲C to 150藲C
R
GS
= 20 k鈩?/div>
T
a
= 25 藲C
T
a
= 70 藲C
T
a
= 25 藲C
T
a
= 25 藲C
T
a
= 70 藲C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 65
MAX.
25
25
25
鹵
20
5.8
4.6
23
2
1.3
150
UNIT
V
V
V
V
A
A
A
W
W
藲C
1
Surface mounted on FR4 board, t
鈮?/div>
10 sec
September 1999
1
Rev 1.000

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  • 型號(hào)
    版本
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  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    TrenchMOS transistor Logic level FET
    PHILIPS
  • 英文版
    TrenchMOS transistor Logic level FET
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel enhancement mode MOS transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS transistor Logic level
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS transistor Logic level
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | S...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8.6A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    N-channel enhancement mode field-effect transistor
    Philips
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | S...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | S...

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