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PHM25NQ10T Datasheet

  • PHM25NQ10T

  • TrenchMOS standard level FET

  • 265.84KB

  • 13頁

  • PHILIPS

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PHM25NQ10T
TrenchMOS鈩?standard level FET
Rev. 03 鈥?11 September 2003
M3D879
Product data
1. Product pro鏗乴e
1.1 Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?technology.
1.2 Features
s
SOT96 (SO-8) footprint compatible
s
Surface mounted package
s
Low thermal resistance
s
Low pro鏗乴e.
1.3 Applications
s
DC-to-DC primary side
s
Portable equipment applications.
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
100 V
s
P
tot
鈮?/div>
62.5 W
s
I
D
鈮?/div>
30.7 A
s
R
DSon
鈮?/div>
30 m鈩?
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
mb
Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simpli鏗乪d outline and symbol
Description
source (s)
gate (g)
drain (d)
mounting base,
connected to drain (d)
mb
g
s
[1]
Simpli鏗乪d outline
1
4
Symbol
d
8
Bottom view
5
MBL585
MBB076
SOT685-1 (QLPAK)
[1]
Shaded area indicates terminal 1 index area.

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