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PHB112N06T Datasheet

  • PHB112N06T

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 14頁(yè)

  • PHILIPS

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PHP112N06T; PHB112N06T
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?07 March 2001
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB)
PHB112N06T in SOT404 (D
2
-PAK).
2. Features
s
Fast switching
s
Very low on-state resistance.
3. Applications
s
General purpose switching
s
Switched mode power supplies.
c
4. Pinning information
c
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 and SOT404, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to
drain (d)
1
MBK106
Simpli鏗乪d outline
mb
mb
Symbol
[1]
d
g
2
3
MBK116
MBB076
s
1 2 3
SOT78 (TO-220AB)
[1]
1.
SOT404 (D
2-
PAK)
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

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