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PHB100N03LT Datasheet

  • PHB100N03LT

  • N-channel enhancement mode field-effect transistor

  • 310.93KB

  • 13頁

  • PHILIPS

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PHB100N03LT
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor
Rev. 01 鈥?07 September 2000
M3D166
Product speci鏗乧ation
1. Description
N-channel enhancement mode 鏗乪ld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS鈩?/div>
1
technology.
Product availability:
PHB100N03LT in SOT404 (D
2
-PAK).
2. Features
s
s
s
s
s
TrenchMOS鈩?technology
Low on-state resistance
Avalanche ruggedness rated
Logic level compatible
Surface mount package.
3. Applications
c
c
s
DC to DC converters
s
Synchronous recti鏗乧ation.
4. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT404, simpli鏗乪d outline and symbol
Description
gate (g)
mb
Simpli鏗乪d outline
Symbol
d
drain (d)
source (s)
connected to drain (d)
[1]
g
1
3
MBK116
MBB076
s
SOT404 (D
2
-PAK)
[1]
1.
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

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