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PH3134-9L Datasheet

  • PH3134-9L

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C)

  • 138.02KB

  • 2頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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=
---
---
an
AMP
company
Radar Pulsed Power Transistor, SW, 300~s Pulse, 10% Duty
Pti3134-9L
3.1 - 3.4 GHz
Features
NPN Silicon Microwave Power Transistor
Common Base Configuration
Broadband Class C Operation
High Efficiency InterdigitatedGeometry
Diffused Emitter Ballasting Resistors
Gold Metalization System
Internal Input Impedance Matching
Hermetic鈥楳etaVCeramic
Package
.093=.013
:2.29L.25>
7
3goF
:2.29i.25>
Absolute Maximum Ratings at 25擄C
i
.mt.010
.004z.001
1
(1.52)
INCHES
<MILLIMETERS
~005
t23MM,
LlNLCSS
0THTRWISE
NOTZD.
TG鈥橪CRANCES
ARE
Electrical Characteristics
at 25擄C
Broadband Test Fixture Impedances
F(GHz)
3.10
3.25
3.40
Z,,(Q)
17.5
15.0
13.0
- j8.5
- j8.2
- j8.0
z&v
90.0
58.0
36.0
+ j37.0
+ j7.0
+j14.5
Specifications
Subject
to Change
Without
Notice.

PH3134-9L 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 托盤

  • 停產(chǎn)

  • NPN

  • 60V

  • -

  • -

  • 8dB

  • 9W

  • -

  • 1.1A

  • 200°C（TJ）

  • 底座安裝

  • -

  • -

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