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PH3134-30S Datasheet

  • PH3134-30S

  • Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lms Pulse, 10% Duty 3.1 ...

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  • MA-COM

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=-
z
an
AMP
company
Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lps Pulse, 10% Duty
PH3134-30s
3.1 - 3.4 GHz
v2.00
Features
l
l
l
l
l
l
l
l
NPN Silicon Microwave Power Transistor
Common Base Configuration
Broadband Class C Operation
High Efficiency Interdigitated Geometry
Diffused Emitter Ballasting Resistors
Gold Metalization System
Internal Input and Output Impedance Matching
Hermetic Metal/Ceramic Package
I
.iOO
(2.54)
A
A
I
430
:!0.16)
Absolute Maximum Ratings at 25擄C
Parameter
1 Collector-Emitter
Emitter-Base
Voltage
il
.I00
(2.54)
I Symbol I
1
V,,,
V sac
L
(
P,,,
TJ
T ST0
1
I
Rating
66
3.0
3.6
350
200
-65 to +200
( Units
1
A
103
(2.54)
-:
?-
I v I
V
A
Voltage
Collector Current (Peak)
Total Power Dissipation
JunctionTemperature
StorageTemperature
I w I
鈥淐
鈥淐
UN-ESS
CTiERL鈥?SE
NOTCD,
XLi,?ANCES
ARE
INCHES
(KILL:MTCRS
t.005鈥?/div>
=.l3MK>
Electrical Characteristics
at 25擄C
Specifications
Subject to Change Without Notice.

PH3134-30S 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 20 : ￥2,509.10850托盤

  • -

  • 托盤

  • 在售

  • NPN

  • 65V

  • -

  • -

  • 7.5dB

  • 30W

  • -

  • 3.6A

  • 200°C（TJ）

  • 底座安裝

  • -

  • -

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    PLASTIC MOLDED PIN PHOTO DIODE
    NEC
  • 英文版
    PLASTIC MOLDED PIN PHOTO DIODE
    NEC [NEC]
  • 英文版
    PHOTO DIODE
    NEC
  • 英文版
    PHOTO DIODE
    NEC [NEC]
  • 英文版
    SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR
    NEC
  • 英文版
    SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR
    NEC [NEC]
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS logic level FET
    PHILIPS
  • 英文版
    N-channel TrenchMOS logic level FET
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.1A I(C)
    ETC
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1...
    MA-COM
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1...
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5...
    MA-COM
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5...
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.2A I(C)
    ETC
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 11 W, lms Pulse, 10% Duty 3.1...
    MA-COM
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 11 W, lms Pulse, 10% Duty 3.1...
    MACOM [Tyc...
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor， 20W
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 3A I(C) | FO-91VAR
    ETC
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3....
    MA-COM
  • 英文版
    Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3....
    MACOM [Tyc...

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