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PH20100S Datasheet

  • PH20100S

  • N-channel TrenchMOS standard level FET

  • 12頁

  • PHILIPS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PH20100S
N-channel TrenchMOS鈩?standard level FET
Rev. 02 鈥?17 August 2004
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode 鏗乪ld effect transistor in a plastic package
using TrenchMOS鈩?technology.
1.2 Features
s
Low thermal resistance
s
Low gate drive current
s
SO8 equivalent area footprint
s
Low on-state resistance.
1.3 Applications
s
DC-to-DC converters
s
Switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
s
V
DS
鈮?/div>
100 V
s
P
tot
鈮?/div>
62.5 W
s
I
D
鈮?/div>
34.3 A
s
R
DSon
鈮?/div>
23 m鈩?/div>
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1,2,3
4
mb
Discrete Pinning
Description
source (s)
gate (g)
mounting base;
connected to drain (d)
mb
Simpli鏗乪d outline
Symbol
d
g
mbb076
s
1
2
3
4
Top view
SOT669 (LFPAK)

PH20100S 產(chǎn)品屬性

  • 47 ns

  • 23 ns

  • 39 nC V @ 10

  • 2264 pF V @ 25

  • 表面貼裝

  • 4.1mm

  • LFPAK

  • 5 x 4.1 x 1.1mm

  • 5

  • -55 °C

  • 62500 mW

  • ±20 V

  • 100 V

  • 0.023

  • 34.3 A

  • +150 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增強(qiáng)

  • N

  • 單、三源

  • 5mm

  • 1.1mm

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