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PCR100-6/-8 Datasheet

  • PCR100-6/-8

  • SCR

  • 3頁

  • ETC

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
PCR 100- 6錛? 8
FEATURES
Silicon Planar PNPN
Thyristor
TO鈥?2
1.KATHODE
Current-I
GT
: 200
渭
A
I
TRMS
:
V
DRM
:
0.8 A
PCR100-6錛?00 V
PCR100-8錛?00 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
錛孴
stg
: -55鈩?to +150鈩?/div>
2.GATE
3.ANODE
1 2 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
Parameter
On state voltage *
Gate trigger voltage
Peak Repetitive forward and reverse
blocking voltage
PCR100-6
PCR100-8
Peak forward or reverse blocking
Current
Holding current
Symbol
V
TM
V
GT
unless
Test
otherwise
conditions
I
TM
=1A
V
AK
=7V
specified錛?/div>
MIN
MAX
1.7
0.8
UNIT
V
V
V
DRM
AND
I
DRM
= 10
渭A
,V
MAX
=1010 V
400
600
V
V
RRM
I
DRM
I
RRM
I
H
A2
A1
V
AK
= Rated
V
DRM
or
V
RRM
10
碌A(chǔ)
I
HL
= 20 mA , Av = 7 V
5
15
V
AK
=7V
5
15
30
mA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Gate trigger current
I
GT
A
30
80
碌A(chǔ)
B
80
200
碌A(chǔ)
*
Forward current applied for 1 ms maximum duration錛宒uty cycle鈮?%銆?/div>

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