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PCR0.6 Datasheet

  • PCR0.6

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
PCR 0.6 A
FEATURES
Silicon Planar pnpn Thyristor
TO鈥?2
1.CATHODE
銆€Current-I
GT
:120
渭
A
I
TRMS
:
V
DRM
:
0.6A
400V
2.GATE
3.ANODE
1 2 3
Operating and storage junction temperature range
T
J
錛孴
stg
: -55鈩?to +150鈩?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
Parameter
On state voltage
Gate trigger voltage
Repetitive peak off-state voltage
Symbol
V
TM
V
GTF
V
DRM
unless
Test
otherwise
specified錛?/div>
MIN
MAX
1.7
0.8
400
UNIT
V
V
V
conditions
I
TM
=0.6A
V
AK
=7V
I
DRM
= 10
渭A
Holding current
I
H
A2
A1
A-1
I
HL
= 20 mA ,
Av = 7 V
5
15
30
5
15
30
45
60
80
120
mA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Gate trigger current
I
GTF
A-2
A
B
V
AR
=7V
45
60
80

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