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PBSS9110X Datasheet

  • PBSS9110X

  • 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

  • 15頁

  • PHILIPS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PBSS9110X
100 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?2 May 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
PNP low V
CEsat
Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/
TO-243) SMD plastic package.
NPN complement: PBSS8110X.
1.2 Features
s
s
s
s
SOT89 package
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High ef鏗乧iency leading to less heat generation
1.3 Applications
s
Major application segments:
x
Automotive 42 V power
x
Telecom infrastructure
x
Industrial
s
Peripheral driver:
x
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
x
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
s
DC-to-DC conversion
1.4 Quick reference data
Table 1:
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
[1]
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
collector-emitter saturation
resistance
single pulse;
t
p
鈮?/div>
1 ms
I
C
=
鈭?
A;
I
B
=
鈭?00
mA
[1]
Conditions
open base
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
170
Max
鈭?00
鈭?
鈭?
320
Unit
V
A
A
m鈩?/div>
Pulse test: t
p
鈮?/div>
300
碌s; 未 鈮?/div>
0.02.

PBSS9110X 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 2.6mm

  • UPAK

  • 1.6 x 4.6 x 2.6mm

  • 4

  • PNP

  • -65 °C

  • 2000 mW

  • 5 V

  • 1.1 V

  • 1 A

  • 100 V

  • 0.32 V

  • 120 V

  • 125 V

  • +150 °C

  • 100 MHz

  • 1

  • 雙極小信號(hào)

  • 單

  • 4.6mm

  • 1.6mm

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