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PBSS8110S Datasheet

  • PBSS8110S

  • 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 7頁

  • PHILIPS

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
PBSS8110S
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
Product speci鏗乧ation
Supersedes data of 2003 Nov 11
2004 Aug 13

PBSS8110S 產品屬性

  • 通孔

  • 4.2mm

  • SPT

  • 5.2 x 4.8 x 4.2mm

  • 3

  • NPN

  • -65 °C

  • 830 mW

  • 5 V

  • 1.05 V

  • 1 A

  • 100 V

  • 0.2 V

  • 120 V

  • 80 V

  • +150 °C

  • 100 MHz

  • 1

  • 雙極小信號

  • 單

  • 4.8mm

  • 5.2mm

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