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PBSS5160DS Datasheet

  • PBSS5160DS

  • 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

  • 14頁

  • PHILIPS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PBSS5160DS
60 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 02 鈥?28 June 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
PNP/PNP low V
CEsat
Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457
(SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4160DS.
1.2 Features
s
s
s
s
s
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability: I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High ef鏗乧iency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
s
Dual low power switches (e.g. motors, fans)
s
Automotive applications
1.4 Quick reference data
Table 1:
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
[1]
[2]
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
collector-emitter saturation
resistance
single pulse;
t
p
鈮?/div>
1 ms
I
C
=
鈭?
A;
I
B
=
鈭?00
mA
[2]
Conditions
open base
[1]
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
250
Max
鈭?0
鈭?
鈭?
330
Unit
V
A
A
m鈩?/div>
Device mounted on a ceramic PCB, Al
2
O
3
, standard footprint.
Pulse test: t
p
鈮?/div>
300
碌s; 未 鈮?/div>
0.02.

PBSS5160DS 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 1.7mm

  • TSOP

  • 1 x 3.1 x 1.7mm

  • 6

  • PNP

  • -65 °C

  • 700 mW

  • 5 V

  • 1.1 V

  • 1 A

  • 60 V

  • 0.33 V

  • 80 V

  • 100 V

  • +150 °C

  • 185 MHz

  • 2

  • 雙極小信號

  • 雙

  • 3.1mm

  • 1mm

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